NLD-4000（ICPM）PEALD系統：ALD原子層沉積可以滿足準確膜厚控制以及高深寬比結構的保形沉積，這方面ALD原子層沉積遠超過其它沉積技術。由于前驅體流量的隨意性不會帶來影響，所以在ALD原子層沉積中有序、自限制的表面反應將會帶來非統計的沉積。這使得ALD原子層沉積膜保持高度的光滑、連續以及無孔的特性，可以提供優異的薄膜性能。ALD原子層工藝也可以實現到大基片上。

NLD-3000原子層沉積系統：ALD原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結構的保形沉積，這方面ALD原子層沉積遠超過其它沉積技術。由于前驅體流量的隨意性不會帶來影響，所以在ALD原子層沉積中有序、自限制的表面反應將會帶來非統計的沉積。這使得ALD原子層沉積膜保持高度的光滑、連續以及無孔的特性，可以提供優異的薄膜性能。ALD原子層工藝也可以實現到大基片上。

進口ALD設備：ALD原子層沉積可以滿足膜厚控制以及高深寬比結構的保形沉積，這方面ALD原子層沉積遠超過其它沉積技術。由于前驅體流量的隨意性不會帶來影響，所以在ALD原子層沉積中有序、自限制的表面反應將會帶來非統計的沉積。這使得ALD原子層沉積膜保持高度的光滑、連續以及無孔的特性，可以提供優異的薄膜性能。ALD原子層工藝也可以實現到大基片上。

等離子體增強MOCVD：針對InGaN及AlGaN沉積工藝所研發的臺式等離子輔助金屬有機化學氣相沉積系統（PA-MOCVD）,該系統具有5個鼓泡裝置（各帶獨立的冷卻槽）、加熱的氣體管路、950度樣品臺三個氣體環、淋浴式氣體分布的RF射頻等離子源以及工藝終端的N2沖洗、 250l/sec渦輪分子泵及無油真空泵（5 x 10-7Torr極限真空）、PC全自動控制，*的安全